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北京市朝阳区酒仙桥路四号中国电科十一所园区
东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心，为中国国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料的企业。本企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，引进国内外优秀的技术及管理团队，拥有先进的技术及管理优势。
本企业创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，研发、生产产品包括：（1）GaN半导体衬底材料，包括GaN衬底，GaN/ Al2O3复合衬底，图形化蓝宝石衬底（PSS）；（2）生产上述产品的设备，如激光剥离设备等。并对相应技术拥有自主知识产权，使本企业在国内国际竞争中处于一个优势位置。
本公司专注于生产高品质的半导体衬底材料、相关先进设备的高精密制造，竭诚为广大国内外用户提供最优质的服务，立足中国，放眼全球，竭力为中国乃至世界半导体行业带来一个新的发展契机。
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地址：中国广东省东莞市企石镇科技工业园
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